以下のポイントについて自分でまとめることを通じて，自分の子供に説明できるよう「理解する」ようにしてください．自分の子供に説明するときに，まとめた紙を参照するのでは悲しい．

☆ 第9回(6/20)の講義内容について（半導体・ダイオード・トランジスタを学びました。ほとんどが「高校の物理」の復習であったと思います．）

1. N型半導体，P型半導体とはどのようなものか説明しなさい（キーワード：真性半導体(4価原子)，ドナー(5価原子），アクセプタ（3価原子），電子・正孔，多数キャリア）．

2．ダイオードの構造と半波整流器としての動作原理を説明しなさい（キーワード：PN接合，拡散・空乏層，電位障壁，順方向・逆方向）．また，全波整流するためのブリッジ接続を確認すること．

3．NPN型トランジスタの構造と，増幅器としての動作原理を説明しなさい（NPNトランジスタのエミッタ・ベース・コレクタにE_BB, E_CCを繋ぐ際の極性は？, ベース層・エミッタ層における工夫は？）．

☆ 第10回(6/27)の講義内容について（トランジスタによる増幅，FET，IC・LSIを学びました．）

1. トランジスタのエミッタ接地増幅回路における電流・電圧の関係を，プリントのスライド番号9-14を参考にして整理しなさい．

2．MOS型FETの構造を示しなさい．また，「電界効果」および「MOS」の意味は何か説明しなさい．

3．半導体デバイスを集積化することの利点を述べなさい．また，集積回路を作成するためのプレーナ技術について説明しなさい．

☆ 第11回(7/4)の講義内容について（ディジタルIC（論理ゲート）の基礎を学びました．）

1. トランジスタを用いてNOT回路を構成しなさい．また，構成した回路の動作を述べなさい．

2. ダイオードを用いてAND回路およびOR回路を構成しなさい．また，構成した回路の動作を述べなさい．

3. 上記のAND回路の後段にNOT回路を追加したものが，DTL構造のNAND回路であった．TTL構造では，入力段をダイオードからトランジスタに代えたことに特徴があった。このトランジスタの役割を整理しなさい。（またDTLに比べてのメリットは？）

☆ 第12回(7/11)の講義内容について（先週に引き続き論理ゲートを学びました．半導体メモリの話題は「計算機アーキテクチャ」のテキストを使っています．）

1. NMOS（NチャネルMOS）FETの構造と動作を説明しなさい．（PMOS FETは，すべてが逆であることも理解しなさい）．

2. CMOSの構成原理と特徴を述べなさい．また，NOT, NAND, NOR回路を構成したとき，動作を述べなさい．

3．SRAMとDRAMの構造，動作，メリット・デメリットを確認しなさい．

4．EEPROM（フラッシュメモリ）の構造，動作を確認しなさい．

☆ 第13回(7/18)の講義内容について（配布プリントに沿って講義しました．）

1．転送ゲートの構造と動作を確認しなさい．

2. 液晶とは何か？TFTディスプレイの構造と動作（アクティブ・マトリックス方式）を確認しなさい．

3. CCDイメージセンサとはどのようなデバイスか説明しなさい．また，1CCDと3CCDの構成の違いを確認しなさい【この部分は来週の話題です】.

☆ 第14回(7/25)の講義内容について（配布プリントに沿って講義しました．）

1. 動電型マイクロホンと静電型（コンデンサ）マイクロホンの動作原理を述べなさい．MEMSマイクロホンとは何か説明しなさい．

2．OPアンプのイマジナリショートについて説明しなさい．

3．OPアンプにより行われる「演算」を「入力電圧と出力電圧の関係」として導く手順を整理しなさい（微分回路・積分回路は「ハードウェア基礎実験」でも勉強していでしょうから，全員に新鮮な話題と思います）．