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研究内容
 国際会議 (2008年以前は筆頭のみ)

  1. Hiroshi YANAGI, Minseok KIM, Ryota FUJIMOTO, Kei NAKAMURA “Electron Affinity and Ionization Potential Tuning of Amorphous Cd-In-Ga-O Films.”(G2-12-I07) Materials Research Meeting (MRM 2019), Yokohama, Japan (12 December 2019). [Invited]
  2. H. YANAGI, Y. IGUCHI, K. SATO, K. INOUE, I. SUZUKI, S. KAWANISHI “Growth of Halogen Doped n-Type SnS Single Crystals Using Self-Flux.”(G2-12-P41) Materials Research Meeting (MRM 2019), Yokohama, Japan (12 December 2019).
  3. I. Suzuki, S. Kawanishi, Y. Iguchi, K. Sato, T. Omata, H. Yanagi, “Cl-doped SnS single crystal and its n-type conduction” 2019 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, December 4, 2019 (Poster)
  4. Hiroshi Yanagi, Yuki Iguchi, Koichi Sato, Sakiko Kawanishi, Issei Suzuki “Growth of Cl-doped n-type SnS single crystals and their electrical properties.”(05-0437) The 5th International conference on Advanced Electromaterials (ICAE2019), Jeju, Korea (6 November 2019).
  5. Minseok Kim and Hioshi Yanagi “Photoelectron Spectroscopy of Amorphous Cd-In-O Films.”(07-0405) The 5th International conference on Advanced Electromaterials (ICAE2019), Jeju, Korea (6 November 2019).
  6. Minseok Kim and Hioshi Yanagi “EFFECTS OF RAPID THERMAL ANNEALING ON ELECTRICAL PROPERTIES OF AMORPHOUS Cd-In-O FILMS.”(P18) The 8th International Seminar on Green Energy Conversion, Kofu, Japan (28 October 2019).
  7. Minseok Kim and Hioshi Yanagi “Valence Band and Conduction Band Spectra of Amorphous Cd-In-O Films.”(1pP47) The 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11), Nara, Japan (7 October 2019).
  8. M. Onaka, S. Kawanishi, I. Suzuki and H. Yanagi “Effects of Cl Implantation to SnS Thin Films.”(1pP19) The 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11), Nara, Japan (7 October 2019).
  9. Minseok Kim and Hioshi Yanagi “Independent Tuning of the Conduction Band Minimum and Valence Band Maximum of Amorphous Cd-In-Ga-O Thin Films.”(EP04.07.21) 2018 MRS Spring Meeting, Phoenix, Arizona, USA (4 April 2018).
  10. Minseok Kim and Hioshi Yanagi “CONTROL BAND ALIGNMENT OF AMORPHOUS Cd-In-Ga-O SYSTEM WITH ELECTRON PROPERTIES.”(Oral Presentation 4) The 6th International Seminar on Green Energy Conversion, Koumi, Nagano, Japan (14 September 2017).
  11. Yuki Iguchi, Taiki Sugiyama and Hioshi Yanagi “ELECTRICAL PROPERTIES OF SnS FILMS DEPOSITTED ON SEVERAL SUBSTRATES BY CSS METHOD”(P29) The 6th International Seminar on Green Energy Conversion, Koumi, Nagano, Japan (13 September 2017).
  12. Minseok Kim and Hioshi Yanagi “BAND ALIGNMENT AND HALL PROPERTIES OF AMORPHOUS Cd-In-O FILM WITH POST-ANNELING”(P32) The 6th International Seminar on Green Energy Conversion, Koumi, Nagano, Japan (13 September 2017).
  13. Hiroshi Yanagi, Yusuke Koyamaishi, Ciyuki Sato “Transparent Semiconducting Amorphous Cadmium-Gallium-Tin Oxide Films: Effect of Water Vapor during Deposition”(B1-I29-002) IUMRS-ICAM 2017, Kyoto, Japan (29 August 2017). [Invited]
  14. Minseok Kim and Hioshi Yanagi “Band alignment of amorphous Cd-In-O thin films”(B1-P29-018) IUMRS-ICAM 2017, Kyoto, Japan (29 August 2017).
  15. Takehiro Okutomi and Hiroshi Yanagi “Synthesis of zinc oxide based compound with six coordination structure”(3pP15) The 10th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-10), Tokyo, Japan (3 July 2017).
  16. Kazutoshi Inoue, Yuki Iguchi, Hiroshi Yanagi “Single crystal growth of Cl doped n-type SnS by flux method”(3pP14) The 10th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-10), Tokyo, Japan (3 July 2017).
  17. Yuki Iguchi, Taiki Sugiyama, and Hiroshi Yanagi “Electrical properties of SnS films deposited by close spaced sublimation method”(3pP12) The 10th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-10), Tokyo, Japan (3 July 2017).
  18. Minseok Kim and Hioshi Yanagi “Optical and electrical properties of amorphous CdxIn0.6-xGa0.4Oy thin films”(P2.13) Compound Semiconductor Week 2017 , Berlin, Germany (16 May 2017).
  19. “Carier type and concentration dependence of seebeck coefficient of bipolar SnS”(P49) The 5th International Seminar on Green Energy Conversion, Koumi, Nagano, Japan (31 August 2016).
  20. Chiyuki Sato, Yota Kimura, Hiroshi Yanagi “Emhance electron mobility of amorphous Cd-Ga-O thin films by post annealing”(P48) The 5th International Seminar on Green Energy Conversion, Koumi, Nagano, Japan (31 August 2016).
  21. Minseok Kim and Hiroshi Yanagi “Composition dependence of optical and electrical properties of amorphous Cd-In-Ga-O films”(P47) The 5th International Seminar on Green Energy Conversion, Koumi, Nagano, Japan (31 August 2016).
  22. Chiyuki Sato, Yota Kimura, Hiroshi Yanagi “Post-annealing atmosphere and temperature effects on amorphous Cd-Ga-O thin films”(N.5.4) E-MRS 2016 Spring Meeting, Lille, France (3 May 2016).
  23. Yuki Iguchi, Taiki Sugiyama, Hiroshi Yanagi, Xiao Zewen, Toshio Kamiya, Hideo Hosono “Demonstration of n-type conduction in bulk SnS by aliovalent anion doping”(NN10.23) 2015 MRS Fall Meeting, Boston, USA (1 December 2015).
  24. Chiyuki Sato, Yota Kimura, Hiroshi Yanagi “Post-annealing effects on electrical properties of amorphous Cd-Ga-O thin films”(2PT-17) The 9th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9), Tsukuba, Japan (20 October 2015).
  25. Yuki Iguchi, Taiki Sugiyama, Hiroshi Yanagi, Xiao Zewen, Toshio Kamiya, Hideo Hosono “Synthesis of n-type conducting bulk SnS”(2PT-23) The 9th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9), Tsukuba, Japan (20 October 2015).
  26. I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, H. Yanagi, T. Omata, “Novel ternary wurtzite semiconductor β-CuGaO2”, 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Paris, France, (15 September 2015) (Oral)
  27. Yuki Iguchi, Hiroshi Yanagi “n-Type SnS: Synthesis and characterization of aliovalent anion doped bulk ceramics”(4) The 4th International Seminar on Green Energy Conversion, Kofu, Japan (26 August 2015).
  28. Yuki Iguchi, Hiroshi Yanagi, Masao Kita “Crystal Structure Determination of SnS cubic metastable phase”(P27) The 4th International Seminar on Green Energy Conversion, Kofu, Japan (26 August 2015).
  29. Minseok Kim, Hiroshi Yanagi “Electrical and optical properties of amorphous CdO-In2O3 system”(P28) The 4th International Seminar on Green Energy Conversion, Kofu, Japan (26 August 2015).
  30. I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata, “Novel ternary wurtzite-type semiconductor, β-CuGaO2”, 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, USA, (3 December 2014) (Oral)
  31. H. Yanagi, C. Sato, Y. Kimura “Band alignment and band gap control of amorphous oxide semiconductor: a-Cd-Ga-O” E-MRS 2014 Fall Meeting, Warsaw, Poland (18 September 2014).
  32. C. Sato, H. Yanagi, T. Kamiya and H. Hosono, “Band Alignment of New n-Type Amorphous Oxide Semiconductor: a-Cd-Ga-O” Materials Science Engineering (MSE 2014), Darmstadt, Germany (24 September 2014).
  33. Y. Iguchi and H. Yanagi, “The Effect of the Coordination Geometry of Monovalent Cu and Ag ions on the Valence Band width of Oxide Semiconductors” Materials Science Engineering (MSE 2014), Darmstadt, Germany (24 September 2014).
  34. I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata, “First principle calculation of electronic band structure of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2”, 8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014), Niagara Falls, Canada, (8 September 2014) (Poster)
  35. H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata, “A new ternary oxide semiconductor; Wurtzite CuGaO2”, 8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014), Niagara Falls, Canada, (8 September 2014) (Poster)
  36. C. Sato, H. Yanagi, T. Kamiya and H. Hosono, “ELECTRONIC STRUCTURE AND ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES OF AMORPHOUS Cd-Ga-O” The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion, Hokuto, Yamanashi, Japan (25 August 2014).
  37. Y. Iguchi, N. Takagi and H. Yanagi, “VALENCE BAND STRUCTURES OF MONOVALENT COPPER AND SILVER OXIDES: EFFECTS OF COORDINATION” The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion, Hokuto, Yamanashi, Japan (25 August 2014).
  38. I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata, “First principle calculations of electronic band structures of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2”, The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion, Yamanashi, Japan, (25 August 2014) (Poster)
  39. H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata, “A new direct and narrow band gap oxide semiconductor; Wurtzite CuGaO2”, The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion, Yamanashi, Japan, (25 August 2014) (Poster)
  40. I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata, “First principle calculations of electronic band structures of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2”, The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8), Yokohama, Japan, (26 June 2014) (Poster)
  41. H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata, “A new direct and narrow band gap oxide semiconductor; Wurtzite CuGaO2”, The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8), Yokohama, Japan, (26 June 2014) (Poster)
  42. T. Kamiya, H. Yanagi, T. Inoue, H. Hiramatsu, H. Hosono, “Electronic structures and band alignments of novel inorganic semiconductor solar cells” 6th International Symposium on Innovative Solar Cells, Tokyo, Japan (20 January 2014).
  43. Chiyuki Sato, Hiroshi Yanagi, Issei Suzuki, Takahisa Omata, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono, “BAND-GAP ENGINEERING OF HIGH MOBILITY AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR, a-Cd-Ga-O”, The 2nd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion, Koumi, Nagano, Japan (2 September 2013).
  44. Yuki Iguchi and Hiroshi Yanagi, “The oxidation state of copper in CuCdVO4”, The 2nd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion, Koumi, Nagano, Japan (2 September 2013).
  45. Chiyuki Sato, Hiroshi Yanagi, Issei Suzuki, Takahisa Omata, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono, “Band-gap control in amorphous oxide semiconductor Cd-Ga-O thin films”, 2013 MRS Spring Meeting, San Francisco, USA (3 April 2013).
  46. Hiroshi Yanagi, Nobuhito Takagi, Chiyuki Sato, Toshio Kamiya, Hideo Hosono, “Fabrication of Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film in Cd-Si-O System”, 2013 MRS Spring Meeting, San Francisco, USA (2 April 2013).
  47. H. Yanagi, C. Sato, N. Takagi, T. Kamiya, and H. Hosono, “Fabrication and band-gap shift of amorphous oxide semiconductor Cd-M-O (M = Si, Ga) thin films”, 5th International Symposium on Innovative Solar Cells, Tsukuba, Japan (21 January 2013).
  48. Chiyuki Sato, Hiroshi Yanagi, and Hideo Hosono, “Electrical and Optical Properties of amorphous Cd-Ga-O Thin films”, 6th International Symposium on Science and Technology of Advanced Ceramics: STAC-6, Yokohama, Japan (26 June 2012).
  49. H. Yanagi, K. Lee, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, “Low-temperature deposition of high mobility Cu2O thin films for a-IGZO/Cu2O heterojunction solar cell”, International Symposium on Innovative Solar Cells 2012, Tokyo, Japan (March 2012).
  50. Kyeongmi Lee, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono, “Growh of Highly-Oriented, High Mobility Cu2O for Heterojunction Amorphous-IGZO/Cu2O Solar Cell” 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors: ICANS24, Nara, Japan, (August, 2011).
  51. Hiroshi Yanagi, Risa Yoshihara, Nobuhito Takagi, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono, “Electronic Structures of p-type Cu2O and Delafossite-Type Oxides Studied by Photoelectron Spectroscopy”, 5th International Symposium on Science and Technology of Advanced Ceramics: STAC-5, Yokohama, Japan (June 2011).
  52. N. Takagi, H. Ynagi, S. Kim and H. Hosono, “Band Diagram of Bipolar Oxide Semiconductor: CuInO2”, 5th International Symposium on Science and Technology of Advanced Ceramics: STAC-5, Yokohama, Japan (June 2011).
  53. R. Yoshihara, and H. Yanagi, “Photoelectron Spectroscopic Study of Cu2O / Al2OX Interface”, 5th International Symposium on Science and Technology of Advanced Ceramics: STAC-5, Yokohama, Japan (June 2011).
  54. Kyeongmi Lee, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono, “Photovoltaic properties of n-type a-In-Ga-Zn-O / p-type c-Si heterojunction solar cells”, 7th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics: TOEO-7, Tokyo, Japan (April 2011).
  55. H. Yanagi, K. Nomura, H. Hiramatsu, Y. Toda, T. Kamiya, H. Hosono, “Energy Band Alignment and Energy Structure of Transparent Conducting Materials”, 2010 Taiwan-Japan Bilateral Technology Interchange Project Workshop on Transparent Conductive Oxide Thin Films for Electronics and Optics in Green Energy, Hsinchu, Taiwan (August 2010) [Invited].
  56. H. Yanagi, K. Nomura, H. Hiramatsu, Y. Toda, T. Kamiya, H. Hosono, “Electronic Structures and Energy Band Lineup of Transparent Conducting Materials Studied by Photoelectron Spectroscopy”, 5th Forum on New Materials, CIMTEC 2010, Montecatini Terme, Italy (June 2010) [Invited].
  57. Toshio Kamiya, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Yanagi, Hideo Hosono, “Electronic structures of defects and impurities in layered mixed anion compounds ”, The 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics, Tsukuba, Ibaraki, Japan (November 2009).
  58. Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Ikue Koizumi, Ki-Beom Kim, Maiko Kikuchi
    Masahiro Hirano, Hideo Hosono, “Electronic structures and carrier injection properties of oxide – organic heterointerfaces”, The Third International Conference on the Characterization and Control of Interfaces for High Quality Advanced Materials, and Joining Technology for New Metallic Glasses and Inorganic Materials, Kurashiki, Japan (September 2009).
  59. Hiroshi Yanagi, Ikue Koizumi, Ki-Beom Kim, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono, “Cu2-xSe: High-efficient hole injection electrode for organic semiconductors”, The Third International Conference on the Characterization and Control of Interfaces for High Quality Advanced Materials, and Joining Technology for New Metallic Glasses and Inorganic Materials, Kurashiki, Japan (September 2009).
  60. Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Takumi Watanabe, Masahiro Hirano, Hideo Hosono, “Electronic structures of Mn-based layered crystals: LaMnPnO and BaMn2Pn2”, 3rd International Symposium on Science and Technology of Advanced Ceramics: STAC-3, Yokohama, Japan (June 2009).
  61. Hiroshi Yanagi, Katsutoshi Fukuma, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono, “Electrical and Magnetic Properties of LnMnPO with ZrCuSiAs-type Structure”, 3rd International Symposium on Science and Technology of Advanced Ceramics: STAC-3, Yokohama, Japan (June 2009).
  62. Hiroshi Yanagi, “Application of HAXPES to New Transparent Oxide Semiconductors: Transparent Amorphous Oxide Semiconductors & Room Temperature Stable Electride”, International Workshop for New Opportunities in Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy: HAXPES 2009, NY, USA (May 2009) [Plenary].
  63. H. Yanagi, Y. Ogo, K. Matsuzaki, H. Hiramatsu, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, “Carrier Transport Properties of p-Type Oxide Semiconductors, Cu2O and SnO”, International Symposium on Innovative Solar Cells 2009, Tokyo, Japan (March, 2009).
  64. H. Yanagi, I. Koizumi, K. Kim, H. Hiramatsu, M. Miyakawa, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, “High-efficient Electrodes, CuxSe and C12A7:e-, for Inverted OLEDs”, IUMRS-ICA 2008, Nagoya, Japan (December, 2008).
  65. H. Yanagi, T. Kuroda, K.B. Kim, Y. Toda, M. Miyakawa, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, “Electronic structures of a low work function oxide C12A7:e- / organic semiconductors interfaces studied by photoelectron spectroscopy” MRS 2008 fall Meeting, Boston, USA (December, 2008).
  66. H. Yanagi, I. Koizumi, K.B. Kim, H. Hiramatsu, M. Miyakawa, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, “Low-Voltage Operation of Inverted OLED using Low-Injection Barrier Electrodes, CuxSe and C12A7:e-”, MRS 2008 fall Meeting, Boston, USA (December, 2008).
  67. H. Yanagi, T. Watanabe, T. Mine, T. Kamiya, Y. Kamihara, M. Hirano, H. Hosono, “Nickel based superconductors with nickel-pnicogen tetrahedral layers”, International Symposium on Fe-Oxipnictide Superconductors, Tokyo, Japan (June, 2008).
  68. H. Yanagi, M. Kikuchi, K.B. Kim, H. Hiramatsu, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, “Energy level alignment at LaCuOSe/NPB interface studied by photoelectron spectroscopy: The formation of low hole injection barrier”, 7th France-Japan Workshop on Nanosciences and Nanomaterials, Strasbourg, France (October, 2007).
  69. H. Yanagi, K.B. Kim, M. Kikuchi, M. Miyakawa, H. Hiramatsu, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, “Photoelectron Spectroscopic Study of C12A7:e- Cathode/Alq3 and LaCuOSe Anode/NPB Interfaces: Formation of Low Carrier Injection Barriers for OLEDs”, The 34th International Symposium on Compound Semiconductor, Kyoto, Japan (October, 2007).
  70. H. Yanagi, K.B. Kim, M. Kikuchi, M. Miyakawa, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Interfacial electronic structure and electron injection property at C12A7:e- cathode/Alq3 interface”, E-MRS 2007 Spring Meeting, Strasbourg, France (May, 2007).
  71. H. Yanagi, R. Kawamura, H. Hiramatsu, Y. Kamihara, K. Kayanuma, T. Nakamura, H. Osawa, T. Muro, T. Matsushita, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “New ferromagnetic metal with layered crystal structure: LaCoOP”, STAC-JTMC, Kanagawa, Japan (May, 2007).
  72. H. Yanagi, K. Kim, M. Kikuchi, M. Miyakawa, H. Hiramatsu, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Formation of low carrier injection barrier at C12A7:e- cathode / Alq3 and LaCuOSe anode/NPB interfaces studied by photoelectron spectroscopy”, TOEO-5, Kanagawa, Japan (May, 2007).
  73. H. Yanagi, K. Kim, M. Kikuchi, M. Miyakawa, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Electric structure of 12CaO•7Al2O3 electride/ 8-hydroxyquinoline aluminum interfaces studied by photoemission spectroscopy”, IS-TCO, Hersonissos, Greece (October, 2006).
  74. H. Yanagi, S. Ohno, H. Hiramatsu, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, “Magnetic and carrier transport properties of Mn-doped LaCuOSe: High-sensitivity inspection of the origin of ferromagnetism” TOEO-4, Tokyo, Japan (April, 2005).
  75. H. Yanagi, J. Tate, S-M. Park, C-H. Park, and D. Keszler, “Optical and Transport Properties of p-type BaCuXF ( X = S, Se)”, MRS 2002 fall Meeting, Boston, USA (December, 2002).
  76. H. Yanagi, S. Park, A. D. Draeseke, J. Tate, and D. Keszler, “P-type conductivity in transparent oxides and sulfide fluorides”, 224th ACS National Meeting, Boston, USA (August, 2002).
  77. H. Yanagi, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, “Bipolar electrical conductive Transparent Conductive Oxide; CuInO2”, MRS 2001 Spring Meeting, San Francisco, USA (April, 2001).
  78. H. Yanagi, K. Ueda, and H. Hosono, “Electrical Transport Properties and Electronic Structure of Transparent Conductive Oxides with Delafossite Structure”, The 12th MRS-J Symposium, Kawasaki, Japan (December, 2000).
  79. H. Yanagi, K. Ueda, S. Ibuki, T. Hase, H. Hosono, and H. Kawazoe, “TRANSPARENT P- AND N-TYPE CONDUCTIVE OXIDES WITH DELAFOSSITE STRUCTURE” MRS 2000 Spring Meeting, San Francisco, USA (April, 2000) [Invited].


 国内学会(口頭発表) (2008年以前は筆頭のみ)

  1. 鈴木一誓,川西咲子,Bauers Sage,Zakutayev Andriy,柴田浩幸,Kim Minseok,柳博,小俣 孝久 「n型SnS の作製とホモ接合太陽電池への展開」(1A03),第40回電子材料研究討論会、オンライン開催 (2020年11月12日).
  2. 川西咲子,鈴木一誓,Bauers Sage,Zakutayev Andriy,柴田浩幸,柳博,小俣孝久 「pnホモ接合SnSの作製と太陽電池特」(9a-Z15-2),2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン開催 (2020年9月9日).
  3. 鈴木一誓,川西咲子,Bauers Sage,Zakutayev Andriy,柴田浩幸,Kim Minseok,柳博,小俣 孝久 「スパッタリング法によるn型SnS薄膜の作製([9a-Z15-3)」,2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン開催 (2020年9月9日).
  4. 鈴木一誓,川西咲子,Bauers Sage,Zakutayev Andriy,柴田浩幸,Kim Minseok,柳博,小俣 孝久 「n型SnS薄膜のスパッタリング法による作製(2K0307-09-03)」,資源・素材 2020、オンライン開催 (2020年9月9日).
  5. 鈴木一誓,川西咲子,Bauers Sage,Zakutayev Andriy,柴田浩幸,Kim Minseok,柳博,小俣 孝久 「n型SnS薄膜の作製」(2J24),日本セラミックス協会 第33回秋季シンポジウム、オンライン開催 (2020年9月3日).
  6. Minseok Kim、Hiroshi Yanagi 「Tunability band edges of valence band and conduction band in amorphous Cd-In-Ga-O system」(12p-D419-1),第67回応用物理学会春季学術講演会,東京 (2020年3月12日).
  7. 鈴木一誓,川西咲子,井口雄喜,佐藤孝一,小俣孝久,柳博 「n型SnS単結晶の電子状)(19a-E315-6)」,2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会、札幌 (2019年9月19日).
  8. 井口 雄喜,井上 和俊, 柳 博 「n型SnS単結晶の育成とその電気特性」(7a-S21-4),第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡 (2017年9月7日).
  9. 柳 博,小山石 祐介 「透明アモルファス酸化物半導体Cd-Ga-Sn-O薄膜の電気特性制御」(6p-C17-1),第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡 (2017年9月6日).
  10. 小山石侑右,佐藤千友紀,柳博 「アモルファスCd-Ga-Sn-O薄膜の電気・光学特性」(1A02),第32回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,鳴沢村(山梨) (2016年9月20日).
  11. 杉山太樹,井口雄喜,柳博 「近接昇華法によるSnS薄膜の作製とその電気特性」(1A03),第32回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,鳴沢村(山梨) (2016年9月20日).
  12. キム ミンソク,柳 博 「RFマグネトロンスパッタリングによるアモルファスCd-In-Ga-O薄膜の作製」(1A04),第32回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,鳴沢村(山梨) (2016年9月20日).
  13. 佐藤千友紀,木村洋太,柳 博 「アモルファスCd-Ga-Oの電気特性に及ぼすポストアニール効果」(1E22),日本セラミックス協会 2016年 年会,東京(早稲田大) (2016年3月14日).
  14. 井口雄喜,杉山太樹,柳 博,Xiao Zewen,神谷利夫,細野秀雄 「n型SnSの合成とその電気特性」(14p-2M-20),第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋 (2015年9月14日).
  15. 井口雄喜,杉山太樹,柳 博,Xiao Zewen,神谷利夫,細野秀雄 「アニオン置換によるn 型SnSのバルク合成」(C20),第31回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,長野 (2015年9月7日).
  16. 佐藤千友紀,木村洋太,柳博 「アモルファスCd-Ga-O系半導体の電気輸送特性」(C09),第30回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,益子町(栃木) (2014年9月3日).
  17. 長谷拓,鈴木一誓,喜多正雄,柳博,大橋直樹,小俣孝久 「直接遷移型ナローギャップ半導体; ウルツ鉱型β-CuGaO2」,2014年第61回応用物理学会春季学術講演会,相模原 (2014年3月17日).
  18. 鈴木一誓、長谷拓,喜多正雄,井口雄喜,佐藤千友紀,柳博,大橋直樹,小俣孝久 「第一原理計算によるウルツ鉱型β-CuGaO2, β-AgGaO2の電子構造解析」,014年第61回応用物理学会春季学術講演会,相模原 (2014年3月17日).
  19. 佐藤 千友紀,柳 博,鈴木 一誓,小俣 孝久,神谷 利夫,細野 秀雄, 「高移動度アモルファス酸化物半導体a-Cd-Ga-Oの作製とバンドギャップ制御」(1A10),第29回日本セラミックス協会関東支部研究発表会,埼玉 (2013年9月11日).
  20. 柳 博,佐藤 千友紀,高木 暢人,鈴木 一誓,小俣 孝久,神谷 利夫,細野 秀雄, 「新規アモルファス酸化物半導体Cd-M-O薄膜(M = Ga, Si)の作製とバンドギャップ制御」,2013年第60回応用物理学会春季学術講演会,厚木 (2013年3月29日).
  21. 佐藤千友紀, 柳博, 鈴木一誓, 小俣孝久, 神谷利夫, 細野秀雄, 「アモルファスCd-Ga-O薄膜の作製と電気・光学特性の組成依存」, 日本セラミックス協会 2013年 年会,東京 (2013年3月18日).
  22. 柳 博, 「半導体と絶縁体の違いは何か:−透明半導体から強相関電子系につながる物質探索−」,第5回ワークショップ 「固体材料合成および評価技術の新展開」,福島 (2012年9月11日) [基調講演].
  23. 高木 暢人, 柳 博, 金 聖雄, 細野 秀雄, 「両極性酸化物半導体CuInO2 のバンドダイアグラム」, 日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム,札幌 (2011年9月).
  24. 吉原 理紗, 柳 博, 「Cu2O/Al2Ox 界面作製時におけるCu の価数変化」,日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム,札幌 (2011年9月).
  25. Kyeongmi Lee,野村 研二,柳 博,神谷 利夫,細野 秀雄, 「n型a-In-Ga-Zn-O / p型c-Si ヘテロ接合型太陽電池の発電特性」, 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎 (2010年9月).
  26. 小郷 洋一,柳 博,神谷 利夫,細野 秀雄, 「SnOの両極性とpn接合作製」, 2010年春季 第57回 応用物理学会関係連合講演会, (2010年3月).
  27. 柳 博, Shunyi Li, Andre Wachau, 松崎 功佑, 神谷 利夫, Andreas Klein,細野 秀雄, 「光電子分光法によるCu2O / 酸化物絶縁体界面の電子状態の観察」, 第70回応用物理学会学術講演会,富山,(2009年9月).
  28. 柳 博,神原 陽一,平松 秀典,神谷 利夫,平野 正浩,細野 秀雄, 「層状混合アニオン結晶LaTMXOにおける新機能探索:透明ホール注入電極から高温超伝導まで」 ,日本セラミックス協会 第21回秋季シンポジウム,北九州 (2008年9月) [依頼講演].
  29. 柳 博,菊池 麻依子,金 起範,平松 秀典,野村 研二,神谷 利夫,平野 正浩,細野 秀雄,「光電子分光法によるLaCuOSe / NPB界面の電子構造解析と低ホール注入障壁の形成」,第54回応用物理学関係連合講演会,相模原 (2007年3月).
  30. 柳 博,金 起範,菊池 麻依子,宮川 仁,神谷利夫,平野 正浩,細野 秀雄,「C12A7:e-/Alq3界面における低電子注入障壁の形成とUPSによる電子構造解析」 日本セラミックス協会 2007年年会,東京,(2007年3月).
  31. 柳 博,戸田 喜丈,平松 秀典,神谷 利夫,平野 正浩,細野 秀雄,「透明導電性酸化物のバンドラインナップの測定」,日本セラミックス協会 第45回セラミックス基礎科学討論会,仙台,(2007年1月).
  32. 柳 博,戸田 喜丈,平松 秀典,神原 陽一,萱沼 健太郎,神谷 利夫,平野 正浩,細野 秀雄, 「透明酸化物半導体ならびに関連物質のバンドラインナップ」,第67回応用物理学会学術講演会,草津,(2006年8月).
  33. 柳 博,萱沼 健太郎,神原 陽一,魚住 孝幸,萱沼 洋輔,竹田 幸治,寺井 恒太,藤森 伸一,斉藤 祐児,小林 啓介,神谷 利夫,平野 正浩,細野 秀雄,「光電子分光と軟X線吸収分光によるLaMnOPの電子状態」,第53回応用物理学関係連合講演会,東京,(2006年3月).
  34. 柳 博,福間 勝俊,神谷 利夫,平野 正浩,細野 秀雄,「LnMnOPの合成と電気・磁気特性の評価」,第53回応用物理学関係連合講演会,東京,(2006年3月).
  35. 柳 博, 渡辺 匠,神谷 俊夫,平野 正浩,細野 秀雄,「層状オキシリン化物LaMnOPの電子状態」,日本セラミックス協会 2006年年会,東京,(2006年3月).
  36. 柳 博,Janet Tate,神谷 利夫,平野 正浩,細野 秀雄,「ワイドギャップP型半導体BaCuChF(Ch = S, Se)の電子状態」,日本セラミックス協会 第44回セラミックス基礎科学討論会,高知,(2006年1月).
  37. 柳 博,本光 英治,植田 和茂,神谷 利夫,細野 秀雄,「ワイドギャップp型半導体MCuFCh (Ch = S, Se)の電子状態観察」,日本セラミックス協会 2005年年会,岡山,(2005年3月).
  38. 柳 博,高藤 晃平,植田 和茂,神谷 利夫,細野 秀雄,「P型半導体GdCuOSeの電気特性」,日本セラミックス協会 第43回セラミックス基礎科学討論会,千葉,(2005年1月).
  39. 柳 博,S. Park,C. Park,D. Keszler,J. Tate,平野 正浩,細野 秀雄,「ワイドギャップp型半導体BaCuXF(X = S,Se)の電気特性」,日本セラミックス協会 第42回セラミックス基礎科学討論会,長岡,(2004年4月).
  40. 柳 博,長谷 智実,伊吹 俊太郎,植田 和茂,細野 秀雄,「新規デラフォサイト型構造酸化物CuInO2の薄膜化」,第47回応用物理学関係連合講演会,東京,(2000年3月).
  41. 柳 博,工藤 篤史,植田 和茂,細野 秀雄,川副 博司,「新p型伝導性透明酸化物;SrCu2O2(2) ZnOとのヘテロpn接合の作製」,第46回応用物理学関係連合講演会,野田,(1999年3月).
  42. 柳 博,植田 和茂,細野 秀雄,川副 博司,「CuMO2デラフォサイト薄膜の特性と製膜条件」,第59回応用物理学会学術講演会,東広島,(1998月9月).

 国内学会(ポスター発表) (2008年以前は筆頭のみ)
  1. Minseok Kim、Junjun, Jia、Hiroshi Yanagi、Yuzo Shigesato 「Optical properties of amorphous Cd-In-O film evaluated by ellipsometry method」(A1-P20-019) 第28回日本MRS年次大会,北九州国際会議場・西日本総合展示場,北九州 (2018年12月20日).
  2. 井上 和俊 Rizky、椚 俊智、柳 博 「Brドープn型SnS単結晶育成と物性評価」 平成30年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会,東京理科大学,東京 (2018年11月30日).
  3. Rizky 柳 博 「近接昇華法により作製したSnS薄膜に対するBr添加の影響」 平成30年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会,東京理科大学,東京 (2018年11月30日).
  4. 佐藤 孝一 井上 和俊、Rizky、大岩 正和、柳 博 「近接昇華法を用いたSnS薄膜の作製と評価」 平成30年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会,東京理科大学,東京 (2018年11月30日).
  5. 中村 慶、金 旼奭、柳 博 「透明アモルファス酸化物半導体 Cd-Ga-Sn-O 薄膜に与える組成の影響」(P18 ) 第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会,名古屋大学,名古屋 (2018年11月25日).
  6. 藤本 竜汰、金 旼奭、柳 博 「太陽電池への応用を目指したアモルファス酸化物半導体 Cd-Ga-Sn-O 薄膜の作製と物性制御響」(P20 ) 第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会,名古屋大学,名古屋 (2018年11月25日).
  7. Minseok Kim、Hiroshi Yanagi 「Ionization potentials and electron affinities of amorphous Cd-In-Ga-O 」(19p-P5-23),第65回応用物理学会 春季学術講演会,早稲田,(2018年3月19日).
  8. 井口雄喜、 井上和俊、 柳博 「フラックス法によるn型バルクSnS単結晶の作製」(1PE11),日本セラミックス協会 第30回秋季シンポジウム (2017年9月19日).
  9. Kim Minseok,Yanagi Hiroshi 「Optical and electrical properties of amorphous Cd-In-Ga-O thin films: Effect of Cd/In ratios」(1P042),日本セラミックス協会 2017年年会,東京,(2017年3月17日).
  10. 古橋優花, 佐藤千友紀, 柳 博 「アモルファスCd-Ga-O薄膜におけるポストアニール雰囲気の効果」(2P08),第32回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,鳴沢村(山梨) (2016年9月21日).
  11. 大澤僚也, 柳 博 「強誘電体BaTiO3の光電流特性」(2P14),第32回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,鳴沢村(山梨) (2016年9月21日).
  12. 佐藤千友紀,木村洋太,柳 博 「アモルファスCd-Ga-Oにおけるポストアニール温度及び雰囲気の効果」(14p-P10-16),第77回応用物理学会秋季学術講演会,新潟 (2016年9月14日).
  13. 杉山太樹,井口雄喜,柳 博 「SnSのn型化を目指したCl添加SnS高密度焼結体の合成」(P12),第31回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,長野 (2015年9月7日).
  14. 小山石侑右,佐藤千友紀,木村洋太, 柳 博 「価電子帯制御を目指したCu・Ag添加アモルファスCd-Ga-O薄膜の作製」(P13),第31回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,長野 (2015年9月7日).
  15. 井口雄喜,柳博,喜多正雄 「立方晶系SnS準安定相の結晶構造の同定」(1P140),日本セラミックス協会 2015年年会,岡山,(2015年3月18日).
  16. 木村洋太,佐藤千友紀,柳博 「酸化ガリウム系アモルファス半導体の電気・光学特性」(P19),第30回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,益子町(栃木),(2014年9月2日).
  17. 井口雄喜,柳博 「CuCdVO4の結晶構造解析と電子状態観察態」(1P15),第29回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,埼玉,(2013年9月11日).
  18. 堀内隆弘,和田智志,柳博 「水熱合成法によるエピタキシャルBiFeO3 薄膜の作製とその電子状態」(1P16),第29回日本セラミックス協会 関東支部研究発表会,埼玉,(2013年9月11日).
  19. 柳博,黒田寿文,金起範,宮川仁,戸田喜丈,神谷利夫,平野正浩,細野秀雄 「表面改質した低仕事関数酸化物C12A7:e-と有機半導体界面における低電子注入障壁の形成」(3p-P10-6),第69回応用物理学会学術講演会,春日井,(2008年9月2日).
  20. 柳博,峰崇志,神谷利夫,神原陽一,平野正浩,細野秀雄 「ThCr2Si2型Ni系超伝導体BaNi2P2の電気・磁気特性」(27a-NC-10),第55回応用物理学関係連合講演会,船橋,(2008年3月27日).
  21. 柳博,植田和茂,太田裕道,折田政寛,細野秀雄,平野正浩 「デラフォサイト型構造酸化物CuInO2を持ちた透明p-nホモ接合の試製」,第48回応用物理学関係連合講演会,東京,(2001年3月).
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